二氧化硅 (SiO_2) 薄膜具有硬度高、耐磨性好、絕緣性好等優(yōu)點(diǎn)常作為絕緣層材料在薄膜傳感器生產(chǎn)中得到廣泛應(yīng)用. 某光學(xué)薄膜制造商為了獲得高品質(zhì)的 SiO_2薄膜引進(jìn)伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380輔助離子束濺射鍍制SiO_2薄膜.

該制造商的離子束濺射鍍膜組成系統(tǒng)主要由濺射室、雙離子源、濺射靶、基片臺(tái)、真空氣路系統(tǒng)以及控制系統(tǒng)等部分組成.

離子源濺射離子源采用進(jìn)口的 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380, 其參數(shù)如下:

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù)：

推薦理由：

1. 聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率

2. 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

其真空氣路系統(tǒng)真空系統(tǒng)需要沉積前本底真空抽到 8×10^-4 Pa, 經(jīng)推薦采用伯東泵組  Hicube 80 Pro, 其技術(shù)參數(shù)如下：

分子泵組 Hicube 80 Pro 技術(shù)參數(shù):

運(yùn)行結(jié)果：

1. SiO_2薄膜沉積速率比以前更加快速
2. 薄膜均勻性明顯提高
3. 成膜質(zhì)量高、膜層致密、缺陷少

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口品牌的代理商.