【儀表網 儀表企業】近日，為電子應用領域客戶提供服務的半導體公司意法半導體(STM)宣布，已簽署協議收購法國氮化鎵(GaN)創新者Exagan的多數股權。Exagan在外延、產品開發和應用技術方面的專業知識將拓寬和加速意法半導體在汽車、工業和消費類應用中的功率GaN路線圖和業務。Exagan將繼續執行其產品路線圖，并將在部署其產品時得到意法半導體的支持。
交易條款未披露，收購結束仍需獲得法國當局的常規監管批準。簽署的協議還規定，意法半導體在收購多數股權結束24個月后收購Exagan剩余的少數股權。這筆交易的資金來自可用現金。
意法半導體總裁兼執行官讓-馬克•奇瑞(Jean-Marc Chery)表示：“ST在碳化硅領域已經形成了強勁的發展勢頭，目前正在另一種非常有前景的復合材料氮化鎵方面進行擴張，以推動基于GaN的電力產品被汽車、工業和消費市場的客戶采用。收購Exagan的多數股權，是在加強我們在電力半導體領域的技術以及我們的長期GaN路線圖、生態系統和業務方面邁出的又一步。它是CEA-Leti在法國圖爾的持續發展以及近宣布的與臺積電的合作的補充。”
氮化鎵(GaN)屬于含碳化硅的寬帶隙(WBG)材料家族。GaN基器件是提供高頻操作的電力電子技術的一個重大進步，與硅基晶體管相比，GaN基器件具有更高的效率和更高的功率密度，從而節省了功率和整個系統的體積。GaN產品將涉及多種應用，如服務器、電信和工業應用中的功率因數校正和DC/DC轉換器、汽車應用中的EV車載充電器和DC-DC轉換器、以及電源適配器等個人電子應用。
Exagan成立于2014年，總部位于法國格勒諾布爾(Grenoble)，致力于加速電力電子行業從硅基技術向硅基技術的轉變，實現更小、更高效的電子轉換器。它的GaN功率開關設計用于制造標準的200mm晶圓廠。
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