【儀表網(wǎng) 研發(fā)快訊】作為一種超寬帶隙半導體材料，金剛石具有禁帶寬度大、載流子遷移率高，載流子飽和漂移速度大、臨界擊穿場強大、熱導率高等優(yōu)點，非常適合用于制備高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的電子學器件以及深紫外波段的光電子器件，在新能源、6G通信、空間科學等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。在半導體金剛石材料與器件研究中，大尺寸金剛石單晶襯底和外延薄膜的制備是一個重要的研究方向，但由于襯底與外延層之間極大的應(yīng)力，其面臨巨大的技術(shù)挑戰(zhàn)。
 

　　在銥(Ir)復合襯底上結(jié)合偏壓增強成核技術(shù)的異質(zhì)外延方法是目前制備大尺寸單晶金剛石研究最廣泛的方法。然而，在實際中實現(xiàn)大尺寸異質(zhì)外延金剛石仍然具有挑戰(zhàn)性。首先，異質(zhì)外延體系中的晶格失配會在體系中引入較高的位錯密度，對于幾百微米厚度的金剛石，通常在107-109 cm-2的范圍內(nèi)。此外，金剛石-銥復合材料體系內(nèi)的晶格失配以及由于熱膨脹系數(shù)差異導致的熱失配會在金剛石薄膜中產(chǎn)生高達GPa量級的應(yīng)力，導致金剛石外延層開裂。
 

　　中國科學院半導體研究所金鵬團隊在金剛石生長中取得重要進展，采用激光切割圖案化工藝緩解金剛石層異質(zhì)外延生長過程中的巨大應(yīng)力，在Ir/YSZ/Si復合襯底上實現(xiàn)了2英寸異質(zhì)外延自支撐金剛石單晶的制備。結(jié)果表明激光圖案化方法可以在大尺寸金剛石生長過程中有效釋放應(yīng)力，為傳統(tǒng)光刻圖案化方案提供了一種更簡單、更經(jīng)濟的替代方案。
 

　　團隊長期得到王占國院士的大力支持和悉心指導。該工作得到北京市科技計劃等項目的支持。
 

圖1 制備流程
 

　　圖2. (a) Ir/YSZ/Si (001) 上異質(zhì)外延金剛石的 θ-2θ 掃描 X 射線衍射圖； (b) 金剛石(111)和Ir(111)在極角χ=54.74°下的面內(nèi)φ掃描； (c) 金剛石{111}衍射峰的X射線極圖；(d) 金剛石 (200)、(e) (311)和(f) (220)的搖擺曲線。
 

　　圖3. (a) 2 英寸自支撐金剛石單晶照片 (b) 等離子蝕刻后金剛石表面的刻蝕坑顯微圖像。